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選型：

BLC10G18XS-360AVT ；BLC10G18XS-360AVTY ；BLC10G18XS-360AVTZ；BLC10G18XS-400AVT；BLC10G18XS-602AVT

BLC10G22XS-400AVT；BLC10G22XS-551AVT；BLC10G22XS-551AVTZ；BLC10G22XS-602AVTZ

BLC10G27LS-320AVT；BLC10G27LS-320AVTY；BLC10G27LS-320AVTZ

BLC10G27XS-551AVT；BLC10G27XS-400AVT

BLC10G18XS-360AVT ；BLC10G18XS-360AVTY ；BLC10G18XS-360AVTZ

360W LDMOS 封裝非對稱 Doherty 功率晶體管，適用于頻率為 1805 MHz 至 1880 MHz 的基站應(yīng)用。

BLC10G18XS-400AVT

400 W LDMOS封裝非對稱Doherty功率晶體管，適用于頻率為1805 MHz至1880 MHz的基站應(yīng)用。

BLC10G18XS-602AVT

600W LDMOS封裝非對稱Doherty功率晶體管，適用于頻率為1805 MHz至1880 MHz的基站應(yīng)用。

BLC10G22XS-400AVT：

400 W LDMOS封裝非對稱Doherty功率晶體管，適用于頻率為2110 MHz至2200 MHz的基站應(yīng)用。

BLC10G22XS-551AVT：

550W LDMOS封裝非對稱Doherty功率晶體管，適用于頻率為2100 MHz至2200 MHz的基站應(yīng)用。

BLC10G22XS-602AVT：

600W LDMOS封裝非對稱Doherty功率晶體管，適用于頻率為2110 MHz至2170 MHz的基站應(yīng)用。

BLC10G27LS-320AVT；BLC10G27LS-320AVTY；BLC10G27LS-320AVTZ

320 W LDMOS封裝非對稱Doherty功率晶體管，適用于頻率為2500 MHz至2700 MHz的基站應(yīng)用。

BLC10G27XS-551AVT

550 W LDMOS封裝非對稱Doherty功率晶體管，適用于頻率為2620 MHz至2690 MHz的基站應(yīng)用。

BLC10G27XS-400AVT

400W LDMOS封裝非對稱Doherty功率晶體管，適用于頻率為2496 MHz至2690 MHz的基站應(yīng)用。

特點(diǎn)和優(yōu)勢:

出色的堅固性

高效率

低熱阻，提供出色的熱穩(wěn)定性

更低的輸出電容，可提高 Doherty 應(yīng)用的性能

專為低記憶效應(yīng)而設(shè)計，提供出色的數(shù)字預(yù)失真能力

內(nèi)部匹配，易于使用

集成ESD保護(hù)

符合關(guān)于有害物質(zhì)限制 (RoHS) 的指令 2002/95/EC

應(yīng)用：

射頻功率放大器，適用于1805 MHz至1880 MHz頻率范圍內(nèi)的基站和多載波應(yīng)用