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Solitron寬溫金屬封裝碳化硅MOS管SD11703–900V

發(fā)布于:2023-10-31 10:22:00

品牌名稱:Solitron DEVICES INC

重要參數(shù):

· 極低 RDS(開)

· 650V和1200V

· 全密封Ri-REL TO-258封裝,背面隔離

· 低成本TO-247封裝

· 適用于高壓電源、EV和電機(jī)控制


  • 產(chǎn)品詳情

  Solitron的碳化硅 (SiC) MOSFET 具有非常低的 RDS(開)即使在高溫下,與一流的硅技術(shù)相比,開關(guān)性能也非常出色,與溫度的變化最小。碳化硅具有比硅更高的效率水平,因?yàn)樗哪芰繐p失和反向充電顯著降低。這導(dǎo)致在接通和關(guān)斷階段需要更多的開關(guān)功率和更少的能量。結(jié)合高開關(guān)頻率,這意味著更小的磁性元件,大大減輕了系統(tǒng)的重量和尺寸。

  這些 650V 至 1200V SiC MOSFET 采用低成本商用 TO-247 至全密封 TO-258 封裝,工作溫度為 200°C,非常適合各種應(yīng)用,可在最極端的環(huán)境中生存。在可再生能源、電動汽車/電動汽車充電、電機(jī)驅(qū)動、感應(yīng)加熱和高壓逆變器/電源等眾多應(yīng)用中,碳化硅技術(shù)提供了具有優(yōu)勢的尺寸、重量和效率。

  可進(jìn)行 COTS、TX、TXV 和 S 級篩查??筛鶕?jù)要求提供定制配置和封裝,包括電源模塊。

Type NumberVoltageDrain CurrentRds (On)PackageIsolated CaseTemp. Range
SD11702650V50A7mΩTO-258 3L hermeticYes-55°C to 175°C
SD11703900V50A10mΩTO-258 3L hermeticYes-55°C to 175°C
SD11704900V32A35mΩTO-258 5L hermeticYes-55°C to 150°C
SD117051200V50A32mΩTO-258 3L hermeticYes-55°C to 175°C
SD117071200V50A16mΩTO-258 3L hermeticYes-55°C to 175°C
SD11710700V140A15mΩTO-258 3L hermeticYes-55°C to 175°C
SD117201200V58A50mΩTO-247 3L plasticNo-55°C to 175°C
SD117211200V58A50mΩTO-247 4L plasticNo-55°C to 175°C
SD117401200V100A8.6mΩSOT 227BNo-55°C to 175°C

SD11703 – 900V 寬溫金屬封裝碳化硅MOS管 N 溝道

寬溫金屬封裝碳化硅MOS管SD11703

主要特征:

  • ID = 50A

  • RDS(ON) = 10mΩ

  • 隔離背面

  • TO-258 密封封裝

  •  MIL-PRF-19500 篩查可用

寬溫金屬封裝碳化硅MOS管SD11703


好處

  • 無熱失控的并聯(lián)裝置

  • 更高的系統(tǒng)效率

  • 更小的散熱器

  • 理想的外部環(huán)境應(yīng)用

  • 機(jī)器人與伺服控制


應(yīng)用

  • 航空航天

  • 高效率的轉(zhuǎn)換器和馬達(dá)驅(qū)動

  • 電力供應(yīng)

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