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IR高可靠性MOSFETs

發(fā)布于:2020-09-28 18:07:36

品牌名稱:

重要參數(shù):

滿足各種需求的創(chuàng)新MOSFET技術(shù)

英飛凌的功率MOSFET產(chǎn)品組合

堅固耐用:創(chuàng)新型工業(yè)功率MOSFET
杰出性能:汽車功率MOSFET
  • 產(chǎn)品詳情

英飛凌的n溝道和p溝道功率MOSFET設(shè)計獨特,可以帶來更高的效率、功率密度和成本效益。

英飛凌是高效發(fā)電、電力和功耗解決方案的市場領(lǐng)導者。英飛凌最新一代MOSFET晶體管的設(shè)計旨在確保市場領(lǐng)先的性能,提高效率,并基于最新的EMI行為實現(xiàn)更好的散熱。

AC-DC應(yīng)用需要高電壓阻斷能力和低損耗快速開關(guān),利用革命性的CoolMOS伽馬超級結(jié)技術(shù)實現(xiàn)更高效的電源供應(yīng)。英飛凌的超結(jié)MOSFET可以滿足當今各種拓撲的趨勢,從簡單的反激式到TCM圖騰極PFC。設(shè)計師從低溫、改進形狀和更高效率中受益。


ProductVDS max [V]VDS [V]RDS (on) @10V max [m?]RDS (on) @4.5V max [m?]ID  @25°C max [A]QG typ @10V [nC]QG typ @4.5V [nC]Operating Temperature  [°C]VGS(th)  [V]
FS05MR12A6MA1B
1200






IPLK60R1K5PFD7600
1500
3.84.6
-55~1503.5~4.5
FF08MR12W1MA1_B11A








IPLK60R360PFD7600
360
1312.7
-55~1503.5~4.5
IMBG120R090M1H1200


26

-55~175
IPLK60R600PFD7600
600
78.5
-55~1503.5~4.5
IMBG120R350M1H1200


36

-55~175
IPLK60R1K0PFD7600
1000
5.26
-55~1503.5~4.5
IMBG120R220M1H1200


13

-55~175
IMBG120R045M1H1200


47

-55~175
IAUC28N08S5L23080
23
2811.6
-55~1751.2~2
IMBG120R060M1H1200


36

-55~175
IMBG120R030M1H1200


56

-55~175
IAUZ20N08S5L30080
30
208.1
-55~1751.2~2
IAUZ40N08S5N10080
10
4018.6
-55~1752.2~3.8
IMBG120R140M1H1200


18

-55~175
IPZ40N04S5L-7R440
7.4
4013

1.2~2
IPP65R125C7650
125
1835
-553~4
IPP65R095C7650
95
2445
-553~4
IPP60R099P7600
99
3145
-55~1503~4
IPB120N04S4-0440


12042

2~4
IRLR3110Z100
141663
34
~2.5
IPP60R105CFD7600
105
2142
-55~1503.5~4.5
IPP60R120P7600
120
2636
-55~1503~4
AUIRFS4310100
7
75170

2~4
IPD50R280CE500
280
1332.6
-552.5~3.5
IPB017N10N5100
1.7
273168
-55~1752.2~3.8
IRF40H21040
1.7
201101

2.2~3.7
IPA80R1K4P7800
1400
410
-55~1502.5~3.5
IRFP4768250
17.5
93180

3~5
IRFB773075
2.6
246271

2.1~3.7
IPAN80R450P7800
450
1124
-55~1502.5~3.5
IPP60R120C7600
120
1934
-55~1503~4
IPW60R045CPA600
45
60150

2.5~3.5
IPI80N06S4-0760
7.1
8043

2~4

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