无码人妻少妇色欲AV一区二区,亚洲国产精品sss在线观看av,噜啦噜色姑娘综合网,少妇性饥渴5免费视频

Solitron Devices SMF460 650V N溝道功率MOSFET

發(fā)布時間：2024-12-30 08:51:50     瀏覽：66

Solitron Devices SMF460 650V N溝道功率MOSFET

　　Solitron Devices SMF460這款MOSFET適用于需要高電壓和高電流的應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動器和高功率開關(guān)電路。

　　關(guān)鍵特性：

　　連續(xù)漏極電流 (ID)：10A

　　導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：300mΩ

　　快速恢復(fù)二極管：內(nèi)置

　　雪崩額定：能夠承受高能量脈沖

　　封裝：TO-254 密封封裝

　　背面隔離：提供額外的絕緣

　　篩選：JANTX, JANTXV 篩選可用

　　絕對最大額定值(TC = 25°C，除非另有說明)：

　　漏源電壓 (VDSmax)：650V

　　柵源電壓 (VGSM)：±30V(瞬態(tài))

　　柵源電壓 (VGSS)：±20V(連續(xù))

　　連續(xù)漏極電流 (ID25)：10A

　　脈沖漏極電流 (ID(PULSE))：40A(脈沖寬度Tp受TJmax限制)

　　功率耗散 (PD)：116W

　　結(jié)溫范圍，工作/存儲 (TJ/TSTG)：-55°C至150°C

　　電氣規(guī)格(TJ = 25°C，除非另有說明)：

　　體二極管正向電壓 (VSD)：1.4V(當(dāng)IS = 10A, VGS = 0V)

　　漏源擊穿電壓 (V(BR)DSS)：650V

　　柵閾值電壓 (VGS(th))：3至5V

　　關(guān)態(tài)漏極電流 (IDSS)：10μA(在VDS = 650V, VGS = 0V, T = 25°C)

　　柵源漏電流 (IGSS)：±100nA(在VGS = ±20V, VDS = 0V)

　　漏源導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：260至300mΩ(在VGS = 10V, ID = 6A, TJ = 25°C)

　　跨導(dǎo) (Gfs)：6.5S(在VDS = 10V, ID = 6A, TJ = 25°C)

　　總柵電荷 (Qg(on), Qgs, Qgd)：17, 4.7, 6.1nC(在VGS = 10V, VDS = 325V, ID = 6A)

　　開關(guān)時間 (td(on), tr, td(off), tf)：23, 24, 47, 15ns(在VDD = 325V, ID = 6A, RG = 4.3Ω)

　　熱阻 (RthJC)：1.08°C/W

更多Solitron Devices SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢立維創(chuàng)展。

推薦資訊

  • TPSM843B22降壓模塊（集成電感器）TI 德州儀器
    TPSM843B22降壓模塊（集成電感器）TI 德州儀器 2023-06-05 17:00:26

    TI德州儀器?TPSM843B22是款高效率18V、20A同步降壓模塊，選用內(nèi)部補(bǔ)償?shù)亩l高級電流模式(ACM)控制架構(gòu)，能夠在處在FCCM模式長時間運(yùn)營的同時，形成0.5V至7V的輸出電壓。

  • QTCT236LWH-10.00表面貼裝振蕩器Q-Tech
    QTCT236LWH-10.00表面貼裝振蕩器Q-Tech 2024-04-19 09:24:59

    QTCT236表面貼裝振蕩器是一種高性能和廣泛應(yīng)用的電子元器件，其核心由IC 2.5Vdc或3.3Vdc TCXO構(gòu)成，適用于千兆以太網(wǎng)通信、光纖通道系統(tǒng)、微處理器、DSP及FPGA設(shè)備等場景。該元器件具有緊湊設(shè)計、多種邏輯類型支持、工作溫度范圍寬、環(huán)保無鉛等特點(diǎn)，并符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

在線留言

在線留言