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Solitron SMF473 400V N溝道功率MOSFET

發(fā)布時間：2024-09-10 09:10:21 瀏覽：2009

　　Solitron SMF473是一款專為高功率應用設計的400V N溝道功率MOSFET。它具備多項關鍵特性，包括低R DS(on)(在400V時為40mΩ，10V時為22mΩ典型值)、高耐壓(400V)、高輸入電容(C iss，最大2900pF)和高輸出電容(C oss，最大3900pF)，以及低反向恢復電荷(Q rr，最大22nC)。這些特性使SMF473在開關電源、電機驅動和服務器電源等應用中表現(xiàn)卓越。

Solitron SMF473 400V N溝道功率MOSFET

　　該MOSFET的電氣規(guī)格全面，包括連續(xù)漏極電流ID為23A(在特定條件下)，脈沖漏極電流IDM高達92A，最大功率耗散P為250W，并具備線性降額因子2W/°C。其工作溫度范圍廣泛，從-55°C至150°C，存儲溫度范圍同樣為-55°C至150°C，確保了在各種環(huán)境下的穩(wěn)定運行。

　　SMF473采用TO-247-3L和D-Pak封裝，不僅提供了良好的散熱性能，還便于在電路板上安裝和使用。其詳細的規(guī)格參數(shù)和廣泛的應用領域，使得Solitron SMF473成為高功率電子設計中的理想選擇。

　　應用領域：

　　- 開關模式和諧振模式電源

　　- 直流-直流轉換器

　　- PFC電路

　　- 交流和直流電機驅動

　　- 機器人與伺服控制

　　參數(shù)：

PARAMETER SYMBOL VALUE CONDITIONS
Continuous Drain Current	I	23A	V=10V,T=25℃
Continuous Drain Current	I	14A	Ves=10V,Te=100℃
Pulsed Drain Current (see note 1)	I	92A
Max.Power Dissipation	P	250W	T=25℃
Linear Derating Factor		2W/℃
Gate-to-Source Voltage	V	:20V
Single Pulse Avalanche Energy (see note 2)	E	980mJ
Avalanche Current (see note 1)	I	23A
Repetitive Avalanche Energy (see note 1)	E	25mJ
Peak Diode Recovery dv/dt (se note 3)	dv/dt	4V/ns
Operating JunctionTempeature	T	55℃to 150℃
Storage Temperature Range	T	-55℃to 150℃
Lead Temperature		300℃	0.063in. (1.6mm)from case for 10s
Weight (typical)		9.3g

　Solitron SMF178 500V n溝道功率MOSFET 是一款高性能的半導體器件，適用于各種需要高電壓和高電流處理能力的應用。其出色的電氣特性、快速切換能力和可靠性使其成為工業(yè)和消費電子領域的理想選擇。無論是用于電源管理、電機控制還是其他高功率應用，SMF178 都能提供卓越的性能和穩(wěn)定性。

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