无码人妻少妇色欲AV一区二区,亚洲国产精品sss在线观看av,噜啦噜色姑娘综合网,少妇性饥渴5免费视频

Linear Systems 3N165/3N166單片雙P通道MOSFET

發(fā)布時間：2024-08-05 09:13:13     瀏覽：101

Linear Systems 3N165/3N166單片雙P通道MOSFET

　　Linear Systems 3N165和3N166是單片雙P通道增強型MOSFET，具有以下特點和應用優(yōu)勢：

　　主要特點

　　高輸入阻抗：這使得它們非常適合需要高阻抗輸入的應用，減少了對前級電路的影響。

　　高柵極擊穿電壓：允許在更高的電壓下工作，增強了器件的可靠性和適用范圍。

　　超低泄漏電流：在關閉狀態(tài)下幾乎不消耗電流，這對于低功耗和精密測量應用至關重要。

　　低電容：有助于減少信號延遲和失真，提高信號處理的精確度。

　　應用場景

　　模擬信號處理：由于其高輸入阻抗和低泄漏特性，非常適合用于放大器、濾波器和其他模擬信號處理電路。

　　精密測量儀器：在需要高精度測量和低噪聲的環(huán)境中，這些MOSFET可以提供穩(wěn)定和可靠的性能。

　　高電壓操作：在需要處理高電壓信號的應用中，如電源管理和電壓轉換器，這些器件可以安全可靠地工作。

　　封裝和引腳配置

　　SOIC封裝：適合表面貼裝技術，便于自動化生產。

　　- 引腳配置：NC, G2, G1, D1, Body, D2, NC

　　TO-99封裝：傳統(tǒng)的通孔封裝，適用于需要更高散熱能力的應用。

　　- 引腳配置：Case & Body, G2, G1, S1 & S2, D1, NC, D2, NC

規(guī)格參數(shù)：

   ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ and Ves=0 unless otherwise noted)
SYMBOLCHARACTERISTIC3N165 &
3N166		LS3N165 &
LS3N166		UNITSCONDITIONS
MINMAXMINMAX
IGs5RGate Reverse Leakage Current
10 
100 pAVGs=40V
lcssFGate Forward Leakage Current
-10 
100 Vgs=-40V

25 

TA=+125℃
pssDrain to Source Leakage Current
200 
200 Vos=-20V,Vgs=Ves=0V
IsDsSource to Drain Leakage Current
400 
400 Vso=-20V,VGp=VDB=0V
D(on)On Drain Current-5 30 -5 -30 mAVos=-15V VGs=-10V Vss=0V
VosohGate Source Threshold Voltage-2 -5 -2 -5 VVos=-15V lo=-10μA  Vsg=0V
VGsmGate Source Threshold Voltage-2 -5 -2 -5 VVos=Vgs  lo=-10μA Vsa=0V
Ds(onDrain Source ON Resistance
300 
300 ohmsVgs=-20V lo=-100μA Vsa=0V
gisForwardTransconductance1500 3000 1500 3000 μSVos=-15V lo=-10mA f=1kHz
          Vse=0V
gosOutput Admittance
300 
300 μS
CsInput Capacitance
3.0 
3.0 pF
Vos=-15V lo=-10mA f=1MHz
(NOTE  3)Vsa=0V
CssReverse Transfer Capacitance
0.7 
1.0 
CossOutput Capacitance
3.0 
3.0 
RE(Ys)Common Source Forward
Transconductance		1200 


μSVos=-15V lo=-10mA f=100MHz
(NOTE  3)Vsa=0V

　　Linear Systems 3N165和3N166單片雙P通道MOSFET因其高輸入阻抗、高柵極擊穿電壓、超低泄漏電流和低電容特性，在模擬信號處理和精密測量領域中表現(xiàn)出色。無論是SOIC還是TO-99封裝，都提供了靈活的選擇，以適應不同的設計和生產需求。

相關推薦：

JFET雙通道放大器Linear Systems 

JFET單通道放大器Linear Systems 

立維創(chuàng)展優(yōu)勢代理Linear Systems產品，價格優(yōu)惠，歡迎咨詢。

推薦資訊

  • 3.3-5.0GHz S/C波段射頻功率晶體管Ampleon
    3.3-5.0GHz S/C波段射頻功率晶體管Ampleon 2024-04-16 09:36:31

    Ampleon的 3.3-5.0 GHz S/C波段射頻功率晶體管，以其寬帶和高效特性，成為提升系統(tǒng)性能的優(yōu)選方案。無論您的需求是何種5G應用，我們都能為您提供多種緊湊型射頻設備，讓您輕松選擇最適合您系統(tǒng)的無線電解決方案。選擇Ampleon，就是選擇高效能與可靠性的完美結合。

  • Infineon英飛凌IPM智能功率模塊
    Infineon英飛凌IPM智能功率模塊 2024-01-29 11:49:17

    Infineon英飛凌基于不同半導體技術、采用不同封裝、適用不同電壓和電流等級的IPM智能模塊，分為緊湊型系列、標準系列和高性能系列。我們的IPM智能模塊系列包括 CIPOS? Nano、CIPOS ? Micro、CIPOS ? Mini和CIPOS? Maxi等。這些高能效智能功率模塊IGBT集成了最先進的功率半導體和IC技術。

在線留言

在線留言