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Infineon英飛凌IRHMS67260抗輻射功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間：2024-04-10 09:53:17     瀏覽：202

　　IRHMS67260是一款抗輻射的N溝道MOSFET，具有200V的額定電壓和45A的電流容量。它采用單通道設(shè)計(jì)，并使用R6封裝，特別是TO-254AA低電阻封裝。該產(chǎn)品還具備100 krads (Si) TID QIRL的特性，顯示了其出色的抗輻射能力。

Infineon英飛凌IRHMS67260抗輻射功率MOSFET

　　特點(diǎn)：

　　1. 低 RDS(on)：具有低導(dǎo)通電阻。

　　2. 快速切換：具有快速開關(guān)特性。

　　3. 單粒子效應(yīng) (SEE) 強(qiáng)化：具有抵抗單粒子效應(yīng)的能力。

　　4. 總澆口電荷低：具有低輸出電荷特性。

　　5. 簡單的驅(qū)動(dòng)要求：需要簡單的驅(qū)動(dòng)電路。

　　6. 密封的陶瓷孔眼：采用密封的陶瓷材料，具有優(yōu)良的密封性和耐高溫性。

　　7. 電氣隔離：具有電氣隔離功能。

　　8. 重量輕：整體重量較輕，適合對重量要求高的應(yīng)用場景。

　　9. 符合ESD等級標(biāo)準(zhǔn)：符合3A級的ESD等級，符合MIL-STD-750，方法1020標(biāo)準(zhǔn)。

　　潛在應(yīng)用包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、電力推進(jìn)以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。這款產(chǎn)品適合在高輻射環(huán)境下使用，提供穩(wěn)定可靠的性能。同時(shí)，產(chǎn)品的特性使其適用于需要快速開關(guān)和低輸出電阻的應(yīng)用場景。

　　注意：隨著技術(shù)的進(jìn)步和市場的變化，Infineon英飛凌推出了性能更優(yōu)的替代產(chǎn)品JANSR2N7584T1。具體可咨詢立維創(chuàng)展。

產(chǎn)品型號：

Part numberPackageScreening LevelTID Leve
IRHMS67260Low-OhmicTO-254AACOTS100 krad (Si)
JANSR2N7584T1Low-OhmicTO-254AAJANS100 krad (Si)
RHMS63260Low-OhmicT0-254AACOTS300 krad (Si)
JANSF2N7584T1Low-OhmicT0-254AAJANS300 krad (Si)

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司，優(yōu)勢分銷Infineon英飛凌部分產(chǎn)品線，快速交付，歡迎聯(lián)系。

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