英飛凌IPW65R029CFD7 650V CoolMOS? CFD7 SJ功率器件
發(fā)布時間:2023-12-28 10:52:52 瀏覽:466
英飛凌650 V CoolMOS CFD7 MOSFET IPW65R029CFD7擴展了 CFD7 系列的電壓等級產(chǎn)品,是 650 V CoolMOS?? CFD2 的后繼產(chǎn)品。作為英飛凌快速體二極管產(chǎn)品組合的一部分,這一新產(chǎn)品系列融合了快速開關(guān)技術(shù)的所有優(yōu)勢以及卓越的硬換向魯棒性。
英飛凌采用 TO-247 封裝的 650V CoolMOS? CFD7 超結(jié) MOSFET IPW65R029CFD7非常適合工業(yè)應用中的諧振拓撲結(jié)構(gòu),例如服務器、電信、太陽能和電動汽車充電站,與競爭對手相比,它能夠顯著提高效率。作為CFD2 SJ MOSFET系列的后繼產(chǎn)品,它具有更低的柵極電荷、改進的關(guān)斷行為和更低的反向恢復電荷,可實現(xiàn)最高的效率和功率密度以及額外的50V擊穿電壓。
功能概要
? 超快體二極管和極低的 Qrr
? 650V擊穿電壓
? 與競爭產(chǎn)品相比,開關(guān)損耗顯著降低
? 最低的 RDS(on) 隨溫度變化的依賴性
好處
? 出色的硬換向堅固性
? 為總線電壓增加的設計提供額外的安全裕度
? 提高功率密度
? 在工業(yè)SMPS應用中具有出色的輕載效率
? 提高工業(yè)SMPS應用中的滿載效率
? 與市場上的替代產(chǎn)品相比,具有價格競爭力
應用
? 電動汽車快速充電
? 服務器電源
? 太陽能系統(tǒng)解決方案
? 電信基礎(chǔ)設施
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