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  Microsemi 2N6782 N溝道MOSFET場效應(yīng)晶體管 2025-05-08 09:04:36

  Microsemi 2N6782是一款N溝道MOSFET，具有100V漏源電壓(Vds)和±20V柵源電壓(Vgs)的耐壓能力，在25°C時連續(xù)漏極電流達(dá)3.5A（100°C時為2.25A），最大功耗15W。其導(dǎo)通電阻低至0.6Ω（Vgs=10V時），工作溫度范圍-55°C至+150°C，具備100V漏源擊穿電壓和2-4V的柵極閾值電壓。動態(tài)特性方面，柵極電荷8.1-40nC，開關(guān)延遲15-45ns，適用于高頻開關(guān)場景。該器件特別適合電源管理、電機(jī)驅(qū)動及逆變器等需要高壓大電流處理的電子系統(tǒng)，兼具高效能和快速響應(yīng)特性。

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  Statek CXOXLPNR超高沖擊低相位噪聲振蕩器 2024-01-30 09:27:41

  CXOXLPNR是一款極其耐沖擊和低相位噪聲的振蕩器，具有30 kRad的輻射承受能力。它被封裝在一個密封的陶瓷3.2 x 2.5 mm封裝內(nèi)，并且可以在-55°C至+125°C的范圍內(nèi)工作。這款振蕩器提供了低電壓CMOS輸出，具有低相位噪聲、低抖動和低加速度靈敏度。