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ADI晶圓各種材料工藝對應(yīng)輸出功率及頻率

發(fā)布時(shí)間：2021-05-21 17:09:32     瀏覽：923

在電子器件中，射頻和功率應(yīng)用是主要的。GaN on SiC、GaN自支撐襯底、GaAs襯底、GaAs on Si主要用于射頻半導(dǎo)體(射頻前端PA等)，而Gan on Si和SiC襯底主要用于功率半導(dǎo)體(汽車電子學(xué)等)。

由于其高功率密度，GaN在基站大功率器件領(lǐng)域具有獨(dú)特的優(yōu)勢。與硅襯底相比，SiC襯底具有更好的導(dǎo)熱特性。目前，工業(yè)上95%以上的GaN射頻器件使用SiC襯底，如Qorvo是基于SiC襯底的，硅基GaN器件可以在8英寸的晶片上制作，具有更高的成本優(yōu)勢。在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中，SiC襯底與GaN on Silicon的競爭僅占該領(lǐng)域的一小部分。GaN市場主要集中在低壓領(lǐng)域，而SiC主要用于高壓領(lǐng)域。他們的邊界約為600 V。

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