MICRON DDR3 SDRAM
發(fā)布時間:2021-03-17 17:13:30 瀏覽:1097
MICRON DDR3 SDRAM在之前的DDR和DDR2 SDRAM上提供額外的傳輸速率。除去優(yōu)質的性能指標,MICRON DDR3有一個較低的工作頻率范圍。結果顯示可能是應用領域更高的傳輸速率來執(zhí)行系統(tǒng),與此同時消耗相等或更少的系統(tǒng)輸出功率。
點對點設計構思的版圖具備獨特的內(nèi)存需求,因而選擇正確的內(nèi)存設計方法對工程項目的成功尤為重要。雖然DDR3 SDRAM是用作模塊的,但它能夠很容易地適應點對點應用領域。DDR3由DDR2演變而來。MICRON DDR3點對點系統(tǒng)相似于DDR2點對點系統(tǒng),兩者之間需要相似的設計原理。然而,考慮到DDR3信令更為核心,DDR3點對點系統(tǒng)需要重點改進數(shù)據(jù)總線信令。
規(guī)格
寬X8,x16
工作電壓1.35v,1.5V
封裝形式FBGA
時鐘頻率933MHz,1066MHz
工作溫度0C至+95C,-40C至+95C,-40C至+105C,-40C至+125C
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,以庫存MICRON高可靠性內(nèi)存顆粒芯片和工業(yè)級內(nèi)存條為特色產(chǎn)品優(yōu)勢。歡迎咨詢合作。
詳情了解MICRON請點擊:/brand/54.html
或聯(lián)系我們的銷售工程師:0755-83642657 QQ: 2295048674
推薦資訊
VS-VSK.136/VS-VSK.142/VS-VSK.162晶閘管模塊,135 A至160 A(INT-A-PAK電源模塊)
Vishay DG2722DN-T1-E4是一款專為USB 2.0信號切換設計的2端口高速模擬開關,具有900MHz帶寬、低串擾和隔離(-49dB)、低相位失真(40ps位到位傾斜)。它支持2.7V至4.3V工作電壓,具備防短路和8kV ESD保護,采用miniQFN-10封裝,適用于便攜設備,并符合RoHS標準。應用廣泛,包括移動電話、媒體播放器、數(shù)碼相機等。
在線留言