DATAEL 提供很多數(shù)模轉(zhuǎn)換器產(chǎn)物作為規(guī)范微電路圖 (SMD) 模子,受國防后勤局 (DLA) 監(jiān)視。DATAL 已成為 SMD 提供商跨越三年。DATAEL 的產(chǎn)物通過國防部產(chǎn)物認(rèn)證決策接續(xù)到達(dá)劃定的機(jī)能、品質(zhì)和可靠性程度。這些 SMD 產(chǎn)物已被證明是滿足行業(yè)非常具搦戰(zhàn)性的使用請求的靠得住辦理計(jì)劃。
IR HiRel?為客戶供應(yīng)局限寬泛的包含晶閘管和二極管的電源模塊,電壓局限為 1200 V 至 4400 V,電流為 61 A 至 1070 A。這些模塊接納高可靠壓力觸碰和焊接技術(shù)計(jì)劃和組裝它滿足了成本和機(jī)能優(yōu)化應(yīng)用的特定請求。
?線路接收器能夠包含:緩沖器,適用于在第一時(shí)間段中接收模擬信號并按照所接收的模擬信號向負(fù)載提供輸出數(shù)據(jù)信號,這其中所述緩沖器包含不少于兩個(gè)晶體管;耦合電路在所述不少于兩個(gè)晶體管的柵極之間的電容元器件,適用于在第一時(shí)間段內(nèi)向型所述不少于兩個(gè)晶體管的柵極提供DC數(shù)據(jù)信號;及其適用于在第二時(shí)間段內(nèi)將電容器元器件耦合電路到直流參考電壓的電源開關(guān)。
Q-Tech?高可靠性空間 TCXO是一種對晶體振蕩器的晶體頻率和溫度特性進(jìn)行補(bǔ)償以滿足寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定性要求的晶體振蕩器,一般的模擬溫度補(bǔ)償晶體振蕩器采用熱補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò),補(bǔ)償后的頻率穩(wěn)定性在10-7≤10-6量級。由于其良好的啟動(dòng)特性、優(yōu)越的性價(jià)比、低功耗、體積小、環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用。
Renesas?儀表放大器(in-amps)和可編程增益儀表放大器(PGIA)中提供了諸多工業(yè)生產(chǎn)、檢測和精確測量、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)和醫(yī)療服務(wù)應(yīng)用領(lǐng)域所需要的精密度和高性能。
根據(jù)NVIDIA和AMD宣布的技術(shù)路線圖,GPU將于2018年進(jìn)入12 nm/7nm工藝。目前,AI、與采礦機(jī)相關(guān)的FPGA和ASIC芯片也在使用10~28 nm的先進(jìn)工藝。國內(nèi)制造商已經(jīng)出現(xiàn)了寒武紀(jì)、深鑒科技、地平線、比特大陸等優(yōu)秀的集成電路設(shè)計(jì)制造商以實(shí)現(xiàn)突破,而制造主要依靠臺(tái)積電和其他先進(jìn)工藝合同制造商。
MICRON? DDR3 SDRAM提供比以往的DDR和DDR2SDRAM更多的帶寬。除了優(yōu)良的性能指標(biāo)外,MICRON DDR3還具備較低的工作電壓范圍。其結(jié)果可能是在消耗相同或更少的系統(tǒng)功率的同時(shí),具有更高的帶寬。
DEI?為28VDC航空電子產(chǎn)品設(shè)備儀器和工業(yè)電源系統(tǒng)總線提供電壓浪涌保護(hù)器。按照RTCADO160,Z類:異常浪涌電壓(DC)技術(shù)水平,它能夠保障機(jī)器設(shè)備免遭電壓浪涌。欠壓鎖定功能模塊確保僅在最低標(biāo)準(zhǔn)安全可靠工作電壓技術(shù)水平下可以使用。
TI德州儀器?低功耗比較器提供了全系列的低功耗比較器產(chǎn)品,根據(jù)使用低功耗比較器能夠提高電池壽命。
DATAEL?提供諸多模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器企業(yè)產(chǎn)品,用作標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定微電路圖(SMD)模型工具,由國防安全物流局(DLA)監(jiān)督。DATAL已成為SMD供應(yīng)商超過三年。DATAEL企業(yè)產(chǎn)品根據(jù)國防部產(chǎn)品質(zhì)量認(rèn)證工程項(xiàng)目繼續(xù)實(shí)現(xiàn)規(guī)定的性能指標(biāo)、質(zhì)量和安全可靠性技術(shù)水平。DATAELSMD企業(yè)產(chǎn)品已被證明是滿足行業(yè)內(nèi)最具挑戰(zhàn)性的技術(shù)應(yīng)用規(guī)定的安全可靠解決方案。
IR HiRel?是世界上第一家碳化硅(SiC)分立電源供應(yīng)商。長期性的市場份額和經(jīng)驗(yàn)使IR HiRel能夠提供高度安全可靠和行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的SiC性能指標(biāo)。碳化硅和硅在原材料性能指標(biāo)上的差異性限制了實(shí)際硅單極子二極管(肖特基二極管)的制造,其導(dǎo)通電阻和漏電流高達(dá)100v到150v。在SiC原材料中,肖特基二極管能夠獲取更高的擊穿電壓。IR HiRel的碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合包含600V和650V至1200V肖特基二極管。
?并行接口指的是選用并行傳輸方式數(shù)據(jù)傳輸?shù)臉?biāo)準(zhǔn)接口。從最簡單的并行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器或ASIC芯片,如8255、6820,到更錯(cuò)綜復(fù)雜的SCSI或IDE并行接口,有幾十種。
Q-Tech? QPL晶體振蕩器是體現(xiàn)晶體或振蕩器能否符合非常性能卓越規(guī)定要求的檢測標(biāo)準(zhǔn)之一。將其運(yùn)用于國防裝備和軍事產(chǎn)品的零部件,以符合這一標(biāo)準(zhǔn)是必不可少的。
?Renesas?電子電流量檢測放大器集成了外部結(jié)構(gòu)元器件(即增益設(shè)置電阻器)以簡單化設(shè)計(jì)構(gòu)思并提供模擬電流電壓輸入輸出。
通信基站對國外芯片的依賴程度很高,其中大部分是美國芯片公司。目前,基站系統(tǒng)主要由基帶處理單元(BBU)和射頻遙控單元(RRU)組成。通常,一個(gè)BBU對應(yīng)多個(gè)RRU。相比之下,RRU芯片國產(chǎn)化程度低,對外依存度高,主要困難在于RRU芯片涉及大功率射頻場景,通常是GaAs或Gan材料,而中國大陸則缺乏相應(yīng)的產(chǎn)業(yè)鏈。
MICRON? DDR4內(nèi)存是全新一代的存儲(chǔ)空間標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。2011年1月4日,三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲(chǔ)空間,MICRON DDR4和DDR3有三大區(qū)別:16位預(yù)取機(jī)制(DDR3為8位),在同樣內(nèi)核頻率下,理論研究速度是DDR3的兩倍;傳輸數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范更加安全可靠,數(shù)據(jù)安全可靠性進(jìn)一步提升,工作中電壓降為1.2V,更環(huán)保節(jié)能。
DEI產(chǎn)品能夠提供滿足DO160標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的浪涌保護(hù)系統(tǒng)零部件。DEI的所有的ARINC429組件和大部分離散到數(shù)字轉(zhuǎn)換器都具備此保護(hù)功能模塊。
比較器是一款較為常見的電子電路,如高速比較器。TI德州儀器高速比較器指的是比較器的響應(yīng)速度和處理速度,高速比較速度能夠?qū)崿F(xiàn)納秒級。TI德州儀器高速比較器用作比較兩個(gè)輸入數(shù)據(jù)信息,輸出是二進(jìn)制信號數(shù)據(jù)信息。
DATEL始終以高精密度、高可靠性的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換芯片產(chǎn)品推動(dòng)行業(yè)發(fā)展,廣泛應(yīng)用于軍事、醫(yī)療、航天、科研等行業(yè)市場.
IR HiRel?公司的BCR線性驅(qū)動(dòng)芯片是驅(qū)動(dòng)器直流電壓源提供的LED燈柱的首選。BCR控制器適合于將電流量從10mA驅(qū)動(dòng)器到250mA。這就是為什么它們是低功率和中等功率LED的最佳解決方案。相對來說,大功率LED、線性控制器IC和外部功率電平的組合能夠提供最大的設(shè)計(jì)操作靈活性。
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